檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Chao-Chang Chen".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
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化學機械平坦化/拋光（CMP）製程已被廣泛用於製造積體電路（IC)。為了使製造IC的成本降低，晶圓的尺寸越來越大，CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中，拋光墊表面形…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響，將鑽石修整技術應用…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
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本研究主要為研發線上拋光墊監測系統，透過彩色共軛焦量測系統架設應用於旋轉式拋光機台，利用拋光盤面的旋轉運動以及搖臂的搖擺旋轉運動，搭配彩色共軛焦系統擷取高度資訊，進行線上監測之拋光墊表面形貌的掃描及…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…